همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد
  • study on the structural characteristics of hgcdte photodiodes using laser beam-induced current

    نویسندگان :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 808
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     the structural characteristics of typical n+-on-p hgcdte photodiodes have been studied by laser beam-induced current (lbic). the dependence of lbic on laser wavelength, junction depth and localized leakage has been presented. the diffusion length of minority carrier of p-type region is extracted by the exponential decay fitting of the curve of lbic. it is found that the peak magnitude of lbic and junction depth approximate to a linear relationship for practical values of device fabrication. the diffusion length monotonously increases with the junction depth. a notable shift of lbic profile is observed when localized leakage exists. this provides a useful explain for lbic applying to characterize the structure and process uniformity of hgcdte infrared detectors.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها