همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد
  • parameter determination from current–voltage characteristics of hgcdte photodiodes in forward bias region

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 1111
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     current–voltage characteristics of hgcdte photodiodes in the forward bias region have been modeled considering mechanisms including drift-diffusion current, recombination current, metal-semiconductor contact and constant series resistance. moreover, a fitting method based on the genetic algorithm has been developed to obtain values of related physical parameters from the measured dynamic resistance–voltage curves. fitting results of n+ -on- p planar devices with different cutoff wavelengths are presented to illustrate the model and method, which are available and promising in acquiring device parameter values and evaluating the electrode contact quality.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم