بهبود قابلیت اطمینان مدارهای دیجیتال مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

تکنولوژی مبتنی بر نانولوله های کربنی یکی از پرامیدترین کاندیدای جایگزین تکنولوژی سی ماس می باشد. در این تکنولوژی، رشد نانولوله های کربنی مبتنی بر سنتز شیمیایی می باشد که این مورد باعث تغییرات زیادی در پارامترهای فیزیکی نانولوله های کربنی می شود. تغییرات در تراکم و خواص نیمه هادی بودن نانولوله ها، منجر به بالارفتن نرخ اشکال در مدارهای مبتنی بر نانولوله های کربنی شده است. در نتیجه قابلیت اطمینان مدارهای مبتنی بر نانولوله های کربنی به شدت تحت تاثیر قرار گرفته است. لذا هدف این مقاله، بهبود قابلیت اطمینان مدارهای مبتنی بر نانولوله های کربنی با در نظر گرفتن عوامل اشکال در مدارها می باشد. ایده ی اصلی جهت بهبود قابلیت اطمینان مدار، تغییر ساختار آن ها با استفاده از تکنیک مبتنی بر سیم بندی دوباره می باشد. تغییر ساختار در یک چارچوب بهینه سازی و به صورت تدریجی صورت می گیرد. یکی از ویژگی های مهم این روش، بهینه سازی براساس اطلاعات فرآیند ساخت می باشد به گونه ای که ساختار بهینه با توجه به تکنولوژی ساخت ارائه می شود. همچنین سربارهای مساحت و تاخیر نیز در بهبود قابلیت اطمینان حاصل از این روش لحاظ شده اند. نتایج حاصل نشان می دهند که با استفاده از این روش، قابلیت اطمینان به طور میانگین% 20بهبود می یابد. این در حالی است که سربار مساحت و تاخیر به ترتیب% 0.3 و% 10 است.