محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال

  • si doping of gan in hydride vapor-phase epitaxy

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 886
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     growth of gan boules by hydride vapor-phase epitaxy (hvpe) is very attractive for fabrication of gan substrates. use of dichlorosilane as a source for si doping of bulk gan is investigated. it is shown that no tensile strain is incorporated into mm-thick, si-doped gan layers on sapphire substrates if the threading dislocation density is previously reduced to 2.5 × 107 cm−2 or below. high-quality gan layers with electron densities up to 1.5 × 1019 cm−3 have been achieved, and an upper limit of about 4 × 1019 cm−3 for si doping of gan boules was deduced considering the evolution of dislocations with thickness. a 2-inch, si-doped gan crystal with length exceeding 6 mm and targeted si doping of about 1 × 1018 cm−3 is demonstrated.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها