محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • comparison of phase shifting techniques for measuring in-plane residual stress in thin, flat silicon wafers

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 814
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
    comparison of phase shifting techniques for measuring in-plane residual stress in thin, flat silicon wafers​
     
     this paper reports on a comparison of the six- and ten-step phase shifting methods in digital transmission photoelasticity and the application of these methods to obtain the residual stresses in thin (200 μm), flat crystalline silicon wafers (156 mm square). the ten-step phase shifting technique is judged to be superior with reduced noise in the isoclinics and a resulting higher accuracy when dealing with the near-zero retardation prevalent in residual stress measurements of silicon wafers.
    residual stresses are a major concern affecting the processing and performance of electronic devices made on silicon wafers. residual stress in silicon wafers results from temperature gradients in crystal growth, precipitates and other point and line defects, and cracks due to mechanical processing and thickness. many techniques are currently available to measure these residual stresses, including moire´ interferometry, x-ray diffraction, transmission electron microscopy, micro-raman spectroscopy, and digital photoelasticity.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها