محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • comparative studies of the growth and characterization of germanium epitaxial film on silicon (001) with 0° and 6° offcut

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 847
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     the quality of germanium (ge) epitaxial films grown directly on silicon (si) (001) with 0° and 6° offcut orientation using a reduced-pressure chemical vapor deposition system is studied and compared. ge film grown on si (001) with 6° offcut presents ∼65% higher threading dislocation density and higher root-mean-square (rms) surface roughness (1.92 nm versus 0.98 nm) than ge film grown on si (001) with 0° offcut. plan-view transmission electron microscopy also reveals that threading dislocations are more severe (in terms of contrast and density) for the 6° offcut. in addition, both high-resolution x-ray diffraction and raman spectroscopy analyses show that the ge epilayer on 6° offcut wafer presents higher tensile strain. the poorer quality of the ge film on si (001) with 6° offcut is a result of an imbalance in burgers vectors that favors dislocation nucleation over annihilation.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها