محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • effects of growth temperature and annealing on properties of zn3sn2o7 thin films and application in tfts

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 794
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     the effects of growth temperature and annealing on the physical properties of zn3sn2o7 thin films were investigated in this work. the zn3sn2o7 thin films were deposited on glass substrates by radio frequency (rf) magnetron sputtering. it is found that the films are amorphous regardless of the growth temperature. the film grown at room temperature shows the highest mobility of 8.1 cm2 v−1 s−1 and the lowest carrier concentration of 2.0 × 1015 cm−3. the highest carrier concentration of 1.6 × 1019 cm−3 is obtained at the growth temperature of 250°c. annealing treatment of the zn3sn2o7 thin films resulted in increases of carrier concentration and mobility. the average transmittance of the as-deposited and annealed films reaches 80%. by using a zn3sn2o7 thin film as the channel and a ta2o5 thin film as the insulating layer, we fabricated transparent zn3sn2o7 thin-film transistors with field-effect mobility of 21.2 cm2 v−1 s−1, on/off current ratio of 105, threshold voltage of 0.8 v, and subthreshold swing of 0.8 v/decade.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها