• diffusion soldering of pb-doped gete thermoelectric modules with cu electrodes using a thin-film sn interlayer

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 802
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     directly coating a gete(pb) thermoelectric device with a ni barrier layer and an ag reaction layer and then diffusion soldering with a cu electrode coated with ag and sn leads to breakage at the gete(pb)/ni interface and low bonding strengths of about 6 mpa. an improved process, precoating with 1 μm sn film and heating at 250°c for 3 min before electroplating with ni and ag layers, results in satisfactory bonding strengths ranging from 12.6 mpa to 19.1 mpa. the precoated sn film leads to the formation of a (ni,ge)3sn4 layer between the gete(pb) thermoelectric material and ni barrier layer, reducing the thermal stress at the gete(pb)/ni interface.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها