اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال
حوزه های تحت پوشش رویداد
  • اثر فوتولومینسانس در لایه های بس بلور sinx/sio2 رشد یافته به روش تبخیر حرارتی واکنش گر در محیط پلاسما

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 773
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
    در این تحقیق لایه های بس بلور sinx/sio2 با روش تبخیر حرارتی متناوب سیلیکون (si) و سیلیکا (sio2) بر روی بسترهای سیلیکون تحت پلاسمای نیتروژن ساخته شدند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی نشان دهنده وجود ساختار بس لایه و همچنین تولید نانوبلورهای سیلیکون در لایه های فعال sinx پس از بازپخت در دمای 1050°c است که می تواند ناشی از تجزیه شیمیایی نیترید سیلیکون با تناسب عنصری ناکامل باشد. بررسی اثر فوتولومینسانس بصورت تابعی از ضخامت لایه های فعال sinx نشان دهنده ی وجود دو نوار لومینسانس مجزا در ناحیه مرئی و فروسرخ نزدیک می باشد. این نوارهای انرژی به ترتیب به بازترکیب اکسایتونها در ترازهای انرژی مربوط به نقصهای شبکه ای موجود در شکاف انرژی sio2 و اثر حبس کوانتومی در نانو بلورهای سیلیکون حبس شده در ماتریس نیترید سیلیکون نسبت داده می شوند. با این وجود برای ضخامت 1 نانومتر لایه های sinx، اندازه نانو بلورهای سیلیکون بیشتر از ضخامت لایه های sinx می باشد و اثر فوتولومینسانس در این ضخامت از لایه مذکور به اثر حبس کوانتومی در نانو بلورهای سیلیکون حبس شده بین دو لایه ی اکسید سیلیکون نسبت داده می شود.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها