اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال
حوزه های تحت پوشش رویداد
  • ویژگی های خواص الکتریکی لایه های نازک کریستال si/ge1-xsix بدست آمده از روش mbe

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 839
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
    در این تحقیق لایه های نازک کریستال si/ge1-xsix که (x=5-15%) در دمای پخت t=600-400 k به روش اپیتاکسی در خلا 10-5pa که با دستگاه خلا مدل uvp-71p3 روسی در آزمایشگاه دانشکده فیزیک آکادمی علوم تهیه شده و خواص الکتروفیزیکی لایه ها و تغیرات آن ها با شرایط تهیه، از قبیل ضخامت لایه، تغییر دما و میزان درصد si در ترکیب و si/ge1-xsix بررسی شده است. مشخص شد با افزایش ضخامت لایه و دمای کریستال شدن چگالی دررفتگی از 2´10-5 تا 8´105 cm-2 افزایش می یابد. و همچنین مشخص شد که با افزایش مقدار si در کریستال چگالی حفره ها از (1016-1015cm-3) و نیز ضریب تحرک از (1320-750 cm2/v s) کاهش یافته و تعداد دررفتگی (1016-1017cm-3) افزایش می یابد.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها