محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
سومین کنفرانس الکترومغناطیس مهندسی (کام) ایران
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • بررسی خواص الکتریکی نانوساختار tio2 بر روی نانو ساختار سیلیکان متخلخل

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1393/01/01
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1393/01/01
    • تعداد بازدید: 614
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    در این مقاله، مشخصه i-v دو قطعه al/si/ps/tio2/au ,al/si/ps/au مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. اندازه گیری های انجام شده نشان داد که مشخصه i-v به شدت به درصد تخلخل وابسته است. برای قطعه al/si/ps/au هر چه درصد تخلخل ps افزایش یابد، به دلیل بزرگ تر شدن نسبت سطح به حجم، جریان عبوری در یک ولتاژ مشخص کاهش می یابد و برای قطعه al/si/ps/tio2 هر چه درصد تخلخل ps افزایش یابد، قطر منافذ نیز افزایش یافته و این امر سبب می شود که نانوذرات tio2 که ابعادی در حدود 20 nm را دارند به داخل منافذ نفوذ کنند و سبب یشتر شدن سطح تماس نانو ذرات ps ,tio2 شوند. همچنین این امر سبب می شود که اتصال خوبی بین tio2, ps  برقرار شود و این عوامل سبب افزایش جریان عبوری در یک ولتاژ مشخص می شود.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها