بررسی اثر میدان های مغناطیسی ترکیبی مستقیم (dc) و پالسی با فرکانس بسیار پایین (elf) بر روی رشد باکتری e. coli

سابقه و هدف: به دلیل اهمیت میدان های مغناطیسی در ایجاد تغییراتی در رفتار سلولی و نیز پی بردن به مکانیزم اثر میدان های مغناطیسی (extremely low frequency) elf و ترکیب آن با میدان های مغناطیسی مستقیم روی سلول لازم است مطالعه وسیع تری صورت پذیرد. هدف از این تحقیق بررسی تاثیر میدان های مغناطیسی ترکیبی مستقیمelf, dc  پالسی بر روی رشد باکتری  e.coli-dh5-αبود.

روش بررسی: در مطالعه تجربی حاضر، در هر سری آزمایش ده عدد کووت حاوی محیط کشت تلقیح داده شده با باکتری  e.coliدر دو گروه تجربی و شاهد بررسی شدند. گروه تجربی در انکوباتور در دمای 0.1±37 درجه سانتیگراد در داخل میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفت. شکل موج میدان متغیر در تمام موارد، پالسی با پهنای پالس 6 میلی ثانیه و محدوده اعمال فرکانس ها 10 الی 45 هرتز به فواصل 5 هرتز و محدوده شدت میدان پالسی موثر 2 الی 4 میلی تسلا به فواصل 1 میلی تسلا و میدان مغناطیسی ثابت در تمام آزمایش ها 1 میلی تسلا و مدت زمان اعمال میدان 6 ساعت بلافاصله پس از شروع کشت بود. گروه شاهد در شرایط مشابه در محفظه ای آهنی و خارج میدان قرار داده شد. بررسی رشد باکتری، به روش کدورت سنجی محیط کشت ها به وسیله اسپکتروفتومتر در فواصل زمانی مشخص بود. اندازه گیری زمان تاخیر و نیز سرعت رشد در فاز لگاریتمی به عنوان شاخص های ارزیابی انتخاب گردید.

یافته ها: میدان های مغناطیسی ترکیبیelf, dc  پالسی بجز فرکانس های 15، 25 و 40 هرتز، سرعت رشد را افزایش دادند. زمان تاخیر بجز در فرکانس های 15، 30 و 45 هرتز تغییر کرد. در فرکانس های 20 و 35 هرتز میدان باعث افزایش زمان تاخیر شد و در فرکانس های 10، 25 و 40 هرتز زمان تاخیر کاهش می یابد و بنابراین در این محدوده از فرکانس اثر میدان بر روی زمان تاخیر در فواصل 15 هرتز تکرار شد.

نتیجه گیری: این تحقیق، وجود دریچه هایی از فرکانس را برای تشدید اثر میدان مغناطیسی بر روی سلول تایید کرد.