بررسی تاثیر پیوندهای سیگما و پای در ترابر دالکترونی نانوسیم گالیم نیتراید با استفاده از تقریب بستگی قوی

فهم ارتباط بین خواص الترونیکی و شیمیایی یک گروه وسیع از مولکول ها اولین قدم به سوی توسعه تکنولوژی مبنای مولکولی است. در این مقاله، برای نخستین بار، یک سیم کوانتومی از جنس گالیم نیتراید برای هدایت الکترون ها در مدارات الکترونیکی مورد بررسی قرار گرفته است. نانو ساختارهای نیمه هادی به دلیل وسعت کاربردی شان در سیستم های فیزیکی، برای مطالعه ترابرد الکترونی به شدت محبوبیت دارند. نانوسیم نیمه رسانای گالیم نیتراید مهم ترین ماده ی کلیدی بعد از سیلیکون محسوب می شود که به دلیل ساختار الکترونی منحصر به فرد (گاف انرژی قابل توجه ((3.4 ev) پایداری و استحکام مناسب یکی از گزینه های مورد توجه در زمینه الکترونیک مولکولی می باشد. در این جا ما اثر طول نانو سیم و پیوندهای سیگما و پای را در دو حالت (زیگراگ- آرمچر) بر روی خواص ترابرد الکترونی در یک نانو سیم گالیم نیتراید متصل به دو الکترود نیمه بی نهایت سه بعدی مورد بررسی قرار دادیم. محاسباتمان مبتنی بر روش تابع گرین مطابق با تقریب بستگی قوی نزدیک ترین همسایه است. بعد از محاسبه ضریب عبوردهی الکتریکی، جریان الکتریکی با استفاده از فرمول بندی لاندائور- بوتیکر به دست آمده است. ما دریافتیم که، افزایش طول نانوسیم، در دو حالت (زیگزاگ- آرمچر) سبب تغییراتی در نمودار ضریب عبوردهی بر حسب انرژی و همچنین نمودار جریان- ولتاژ می شود، و همچنین نشان دادیم پیوندهای سیگما و پای در رسانندگی نقش متفاوت و قابل توجهی را اعمال می کنند. و نشان دادیم که از نانوسیم گالیم نیتراید می توانیم به عنوان یک نانوسوییج در دستگاههای الکترونیکی استفاده کرد.