پیاده سازی مدارات منطقی با ترانزیستور نانوتیوب کربن

در این مقاله مدارات منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان (fet) بر اساسنانوتیوب های کربن نشان داده شده است. طرح پیشنهادی قطعه، مشخصه های مطلوبی از جمله بهره (بزرگ تر از 10)، نسبت روشن- خاموش بالا (بزرگ تر از 105) و عملکرد در دمای اتاق را نشان می دهد. مهم تر آنکه نمونه آزمایشی با گیت های محلی، اجازه اجتماع قطعات زیادی را روی یک تراشه فراهم می کند. مدارات یک، دو و سه ترانزیستوری نشان داده شده است که محدوده ای از عملیات منطقی را به نمایش می گذارند. از آن جمله می توان به معکوس گر nor, (not) منطقی یک سلول دسترسی اتفاقی اطلاعات (random access memory) و یک اسیلاتور ac اشاره کرد که عملکرد هر کدام به طور مستقل توضیح داده شده است. طرح قطعه پیشنهادی، اجازه می دهد پدیده های فیزیکی جالب و جدیدی را که منحصر به نانوتیوب هاست از جمله افزودن شدید ناخالصی (strong doping)، تحلیل دقیق تغییرات جریان تطابق قابل قبول نتایج تئوری با اندازه گیری ها و تغییرات انتشار بار، کشف کنیم.