• شبیه سازی و بهبود نسبت ion/ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانونوار گرافنی zaz

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/12/02
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/12/02
    • تعداد بازدید: 706
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    در این مقاله با استفاده از نرم افزار atomistix toolkit 12.8.2 (atk) به شبیه سازی و بررسی ترانزیستورهای ambipolar اثر میدان نانونوار گرافنی با فرم زیگزاگ- آرمیچر- زیگزاگ (zaz) می پردازیم. تاثیر پارامترهای مختلف ساختار نانونوار گرافنی بر مشخصات ترانزیستورهای ambipolar بررسی می شود. نسبت جریان روشن به خاموش (ion/ioff) ترانزیستور یکی از پارامترهای مهم در کاربردهای سوئیچ کردن است. بنابراین در این مقاله ما روشهای مختلف بهبود ion/ioff را بررسی می کنیم. همچنین با ارائه ی یک روش جدید نشان می دهیم که می توان این نسبت را تا حد زیادی بهبود داد. شبیه سازی ها نشان می دهند می توان به 4×108 ion/ioff دست یافت.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها