• بررسی پارامتر ها در کاهش ابعاد ترانزیستور ماسفت و شبیه سازی آن

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1395/12/11
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1395/12/11
    • تعداد بازدید: 1238
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    امروزه، تمایل به کاهش ابعاد ترانزیستورها باهدف قرار دادن تعداد بیشتری از ترانزیستورها در فضای موجود از موضوعات بسیار مهم می باشد. این موضوع از زمان ساخت اولین چیپ ست سیلیکونی، بحث مهمی بوده است تا جایی که امروزه این قابلیت وجود دارد که می توان در فضای مورد نیاز برای قرار دادن یک ترانزیستور از نسل اولین چیپ ست، ده هزار ترانزیستور نسل جدید قرار داد. همچنین طبق نظریه قانون مور  این تعداد در هر یک و نیم سال، دو برابر می شود. هدف از این تحقیق طراحی ترانزیستوری سیلیکونی با ابعادی کوچکتر از ابعادهای موجود می باشد که نتایج شبیه سازی ترانزیستور ماسفت در نرم افزار چند فیزیکی کامسول را نشان می دهد که می توان ابعاد موجود را نسبت به قبل کاهش داد. بهبود خروجی های ترانزیستور در این پایان نامه از طریق ایجاد تغییر در ناخالصی ترانزیستور انجام شده است از طرفی  با ایجاد تغییر در نمودار های جریان و ولتاژ ماسفت و مشاهده نتایج شبیه سازی، توانسته ایم مقاومت ورودی ترانزیستور را افزایش و مقاومت خروجی آن را کاهش دهیم.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها