محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
اولین همایش ملی فن آوری در مهندسی کاربردی
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • طراحی مدار تمام جمع کننده توان پایین در ناحیه زیر آستانه با استفاده از تکنیک گیت نمودن تغذیه

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1395/11/05
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1395/11/05
    • تعداد بازدید: 577
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    با ادامه روند کوچک شدن طول کانال ترانزیستورها در تکنولوژیهای cmos مقیاس نانو، جریان نشتی افزایش می یابد بطوریکه توان نشتی، مخصوصا در گیتهای عریض، مولفه بسیار زیادی از کل توان تلفاتی سیستم را تشکیل می دهد. از سوی دیگر افزایش جریان نشتی منجر به کاهش مصونیت در برابر نویز مخصوصا در گیتهای دینامیکی عریض با درون دهی زیاد می گردد. بنابراین کاهش توان نشتی و افزایش مصونیت در برابر نویز به موضوع مهمی در کاربردهای توان پایین و عملکرد بالا مانند وسایل قابل حمل تبدیل شده است. توان استاتیکی معمولا در مدار های با فشردگی پائین قابل صرف نظر است، اما با مقیاس بندی تکنولوژی و افزایش چگالی ترانزیستورها در تراشه ها، بخش عمده ای از توان کل را به خود اختصاص داده است. در این مقاله از روش گیت نمودن تغذیه  در طراحی مدار تمام جمع کننده در ناحیه زیر آستانه استفاده شده است. مدار جمع کننده پیشنهادی با تکنولوژی 180 نانومتر شبیه سازی گردیده است. نتایج شبیه سازی بهبود قابل ملاحظه ای از نظر توان مصرفی را نشان می دهد.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها