همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد
  • اثرات سطحی میدان مغناطیسی روی نانوکامپوزیت fept/cnt نشانده شده روی ویفر سیلیکون

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1395/11/14
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1395/11/14
    • تعداد بازدید: 337
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    یک روش جدید برای جلوگیری از کلوخه شدن نانو ذرات در حین انیل، استفاده از نانولوله های عاملداراست. در این مقاله نانو ذرات fept را با استفاده از یک روش پلی یل سنتز نموده و به روی نانولوله های عاملدار می نشانیم. سپس نانوکامپوزیت تولید شده را  با استفاده از روش dip coating روی زیر لایه هایی از جنس سیلیکون با و بدون حضور میدان لایه نشانی نموده و برای گذار از فاز fcc به فاز fct انیل مینماییم. در طی آزمایش، اثرات حضور میدان مغناطیسی را حین لایه نشانی در خصوصیاتی همانند اندازه ی ذرات، ارتفاع پیکها، گذار فاز و میزان زبری سطح لایه نشانی شده را با استفاده از آنالیزهای tem,afm,sem قبل و پس از انیل بررسی و مقایسه می نماییم.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها