محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
دومین کنفرانس ملی پژوهش های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • بررسی مقاومت بدنه در اتصال بدنه i-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1396/09/25
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1396/09/25
    • تعداد بازدید: 369
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    در این مقاله مدل مداری ساختار ترانزیستور i-gate مورد بررسی قرارگرفته است. پارامترهای مدل مورد بررسی با استفاده از نتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر تنظیم شده است. اثر تغییرات غلظت نوار p در اتصال بدنه i-gate برروی ساختار بررسی گردید و نمودارهای مربوطه رسم گردید. با توجه به دوپینگ های مختلف ساختار می توان نتیجه گرفت که نوار میانی استفاده شده در این ساختار دوپینگش از یک مقدار معین نمی تواند کمتر باشد. زیرا استفاده ازدوپینگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه و در نتیجه ولتاژ بدنه می شود. میزان غلظت مناسب بدست آمده برای این ساختار le18 cm3 است.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها