• ارزیابی اثر فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1396/07/16
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1396/07/16
    • تعداد بازدید: 291
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    محاسبات abintio در سطح محاسباتی hf و با مجموعه پایه g*31-6 برای ارزیابی فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی به کار گرفته شده است. نانوساختارهای سیلیکونی با فاصله های بین اتمی متفاوت در سیستم های یک بعدی مورد بررسی قرار گرفتند. این نانوساختارها دارای تقارن های متفاوتی هستند و بسته به نوع تقارن، فواصل بین اتمی نیز متفاوت خواهند بود. هدف از این مطالعه، بدست آوردن فاصله ی مناسب، بین اتم های سیلیکون است که در آن فاصله بیشترین رسانش سیستم ملاحظه می شود.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها