مطالعه ی رفتار اکسیداسیون دمابالای پوشش های خودگداز nicrbsi ایجادشده به روش aps

در پژوهش حاضر، رفتار اکسیداسیون دمابالای پوشش های خودگداز nicrbsi ایجادشده به روش پاشش پلاسمایی اتمسفری (aps) مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. برای این منظور، آزمون اکسیداسیون هم دما در دمای 900^oc و چهار زمان 50، 100، 150 و 200 ساعت در کوره ی الکتریکی با اتمسفر هوا روی پوشش ها انجام شد. ضخامت لایه ی اکسیدی رشدیافته ی حرارتی (tgo) به منظور بررسی نرخ رشد این لایه و مطالعه ی سینتیک اکسیداسیون اندازه گیری شد. ارزیابی پوشش ها قبل و بعد از آزمون اکسیداسیون، با استفاده از میکروسکوپ نوری، میکروسکوپ الکترونی روبشی، روش پراشسنجی پرتو ایکس و ضخامت سنجی توسط نرم افزار آنالیز تصویر انجام شد. نتایج آزمون اکسیداسیون دمابالا نشان دادند که نرخ رشد لایه ی tgo تشکیل شده بر روی پوشش پس از 200 ساعت آزمون اکسیداسیون در دمای 900^oc، از نرخ رشد پارابولیک با توان 0.5 نیز کمتر بوده و پوشش nicrbsi ایجادشده به روش aps ، می تواند به عنوان پوششی محافظ در برابر اکسیداسیون دمابالا برای زیرلایه عمل کند. این رشد آهسته ی لایه ی tgo و محافظت مناسب پوشش در برابر اکسیداسیون دمابالا، به پدیده ی اکسیداسیون انتخابی عناصر سیلیسیم و کروم و ایجاد لایه های پیوسته ی sio₂ و cr₂o₃ و نیز تشکیل اسپینل های cr₂(sio₄) و fe₃o₄ در لایه ی tgo نسبت داده شد.