بررسی رفتار مقاومت منفی در شیشه های اکسیدی ag2o-teo2-v2o5

نمونه های توده ای آمورف (60-x) v₂o_{5 2}xag₂o-40teo با 6 درصد مولی متفاوت 0≤x≤50 با روش سرمایش سریع مذاب ساخته شدند. اثر میدان الکتریکی قوی بر رسانش الکتریکی نمونه ها، با بهره گیری از پیکربندی الکترودی گاف گونه مورد بررسی قرار گرفت. رسانش الکتریکی نمونه ها در میدان های الکتریکی ضعیف، به صورت اهمی و در میدان های الکتریکی قوی، رفتاری غیر اهمی از خود نشان می دهد. نتایج حاصل از مطالعه ی منحنی های مشخصه ی ولتاژ -جریان، افزایش انحراف از قانون اهم را همراه با افزایش چگالی جریان الکتریکی نشان می دهد. رفتار غیر اهمی در نمونه های مذکور با اثر پول - فرنکل مطابقت دارد و در میدان های الکتریکی در حدود v/cm10⁴ اتفاق می افتد. مبتنی بر اثر پول - فرنکل، ضریب کاهنده ی سد پتانسیل در نمونه ها نیز به دست آمد. هم چنین نتایج نشان می دهد که ولتاژ پدیده ی کلیدزنی نمونه های آمورف مورد بررسی، با افزایش فاصله ی الکترودی و دمای نمونه ها، به ترتیب افزایش و کاهش می یابد.