• بررسی تأثیر نوسانات تصادفی ناخالصی روی خواص الکترونیکی نانوسیم با سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل داده شده

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1397/11/07
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1397/11/07
    • تعداد بازدید: 285
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    عنوان: بررسی تأثیر نوسانات تصادفی ناخالصی روی خواص الکترونیکی نانوسیم n/gan inxga1-x با سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل داده شده

    امروزه نیمه هادی ها مواد مهمی از گروه جامدات هستند که کاربردهای زیادی در حوزه تحقیقاتی پیدا کرده اند. این مواد در ساخت قطعاتی الکترونیکی، سلول های خورشیدی، لیزرهای نیمه هادی، دیودهای نوری و ... بکار می روند. یکی از ویژگی های مهم نیمه هادی ها که آن ها را از نارساناها و فلزات متمایز ساخته این است که در نیمه هادی ها، با تغییر میزان درصد ناخالصی می توان رسانایی الکتریکی آن ها را تنظیم کرد. در این مقاله، با توجه به اهمیت مواد ایندیم گالیم نیترید و بخصوص کاربرد وسیع آن ها در ساختارهای قطعات الکترونیکی، خواص الکترویکی نانوسیم ناهمگن n/gan inxga1-x که دارای یک سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل داده شده می باشد، بوسیله تغییر درصد ناخالصی ایندیم در آن مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از نرم افزار sphinx و بر اساس تئوری k.p هشت باند مبتنی بر موج تخت انجام پذیرفته است. در این مقاله، با ارائه شکل های چگالی بار الکترون و حفره با درصدهای مختلف ایندیم در نانوسیم مذکور، همپوشانی بین الکترون ها و حفره ها و هم چنین انرژی آن ها مقایسه و بیان شده است.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم