محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
الکترونیک نوری و کوانتومی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • modeling of polarization effects on n-gan/i-ingan/p-gan solar cells with ultrathin gan interlayers

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 1058
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     we report the numerical study of n-gan/i-ingan/p-gan solar cells on ga-face substrates with thin gan interlayers present in the intrinsic ingan region. these interlayers have recently been shown to significantly increase the crystal quality of thick ingan layers (>120 nm) . we find that tunneling is efficient in n-i-p structures having interlayers ≤1.5 nm thick if polarization charges are sufficiently screened. if left unscreened, the large polarization charges naturally formed at the heterointerfaces degrades n-i-p performance, at a given interlayer thickness, because polarization charges increase the distance that carriers must tunnel. simulations identify favorable parameter ranges.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها