محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • resistive switching properties of sol–gel-derived v-doped srtio3 thin films

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 730
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     v-doped and undoped srtio3 (v:sto and sto) thin films on pt/ti/sio2/si substrates were synthesized using a sol–gel method to form metal–insulator–metal (mim) structures. coexistence of the bipolar and unipolar resistive switching (brs and urs) modes in pt/sto/pt and pt/v:sto/pt structures was observed as a irreversible transition from brs to urs on adjustment of the compliance current (i comp). both states were stable and reproducible over 60 cycles, and the maximum operating voltage of the pt/sto/pt was reduced from 10 v to 2 v by doping with v. linear fitting of current–voltage curves suggests that space-charge-limited leakage was the limiting leakage mechanism for these two devices. based on these results, a switching mechanism based on filament theory is proposed to explain both resistive switching modes.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها