محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • analysis of sic deposition rate in a tubular hot-wall reactor with polymeric source using the doe method

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 691
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     atmospheric-pressure chemical vapor deposition of silicon carbide in a tubular hot-wall reactor using a polymeric source was studied. a three-dimensional model of the reactor was solved numerically based on the finite-volume method. to achieve the best desired conditions, the effects of substrate temperature, mass fraction of polycarbosilane (–si[ch3]2–), inlet velocity, and substrate location on the sic deposition rate were considered. these effects were investigated to obtain the optimum conditions by using the design of experiments (doe) method. finally, several contours are presented to help designers find suitable reactor conditions for higher performance.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها