محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال

  • investigation of characteristics of al2o3/n-in x ga1−x as (x = 0.53, 0.7, and 1) metal–oxide–semiconductor structures

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 790
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     the electrical properties of al2o3/n-ingaas metal–oxide–semiconductor capacitors (moscaps) with in content of 0.53, 0.7, and 1 (inas) have been investigated. results show small capacitance–voltage (c–v) frequency dispersion in accumulation (1.70% to 1.85% per decade) for these moscaps, mostly being assigned to border traps in al2o3. with higher in content, shorter minority-carrier response time and smaller c–v hysteresis are observed. the reduction of c–v hysteresis might be related to the reduction of ga-bearing oxides in al2o3/ingaas interfaces as indicated by x-ray photoelectron spectroscopy.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها