محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال

  • postgrowth annealing of cdte layers grown on si substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 780
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     annealing conditions of cdte layers grown on si substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy were studied. typically, 3-μm-thick n-type (211) cdte layers were annealed for 60 s in flowing hydrogen at atmospheric pressure by covering their surfaces with bulk cdte wafers. at annealing temperatures above 700°c, improvement of crystal quality was confirmed from full-width at half-maximum values of double-crystal rocking-curve measurements and x-ray diffraction measurements.photoluminescence measurements revealed no deterioration of electrical properties in the annealedn-cdte layers. furthermore, annealing at 900°c improved the performance of radiation detectors with structure of p-like cdte/n-cdte/n +-si substrate.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها