محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
دومین کنفرانس رشد بلور ایران
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • مطالعه ساختار بس لایه های sinx/sio2 رشد یافته به روش تبخیر حرارتی واکنش گر در محیط پلاسما

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 590
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
    در این تحقیق بس لایه های sinx/sio2 با روش تبخیر حرارتی بر هم کنشی متناوب سیلیکون (si) و سیلیکا (sio2) بر روی بسترهای سیلیکون تحت پلاسمای نیتروژن ساخته شدند. بررسی ساختار شیمیایی نمونه ها با طیف سنجی تبدیل فوریه فرو سرخ (ftir) نشان دهنده ی وجود پیوندهای مختلف شیمیایی از نوع si-n-o و si-o, si-n هستند که مربوط به ترکیبات sio2, sinx و حالتهای فصل مشترک بین لایه های مجاور می باشند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی نشان دهنده ظهور نانوبلورهای سیلیکون در لایه های فعال sinx پس از بازپخت در دمای 1100°c است که می تواند ناشی از تجزیه شیمیایی نیترید سیلیکون با تناسب عنصری ناکامل باشد ضخامت لایه های فعال sinx تعیین کننده اندازه میانگین نانوبلورهای سیلیکون می باشند که وجود لایه های دی الکتریک اکسید سیلیکون در مجاورت آنها باعث کنترل رشد نانوبلورها می شود که به واسطه باز پخت تمایل به بزرگ شدن دارند.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها