محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
دومین کنفرانس ملی پژوهش های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد

  • یک سلول 9sram ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1396/09/25
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1396/09/25
    • تعداد بازدید: 437
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    توان مصرفی در سلول های sram شامل دو مؤلفه توان نشتی (استاتیک) و توان دینامیکی است که با توجه به حجم زیاد این سلول ها در ریزپردازنده های امروزی، توان نشتی در این سلول ها اهمیت زیادی دارد. پایداری داده و حاشیه نویز استاتیک (snm) در سلول sram ها نیز با توجه به کاهش ولتاژ تغذیه هر روز اهمیت بیشتری پیدا می کند. در کنار توان مصرفی و پایداری داده، تاخیر خواندن و نوشتن سلول های sram در بهبود سرعت و کارایی ریزپردازنده ها تاثیر دارد. در این مقاله یک سلول 9 ترانزیستوری جدید پیشنهاد شده است که با استفاده از فقط یک خط بیت جهت خواندن و نوشتن داده ها و هم چنین با جداسازی مسیر خواندن از مسیر نوشتن داده توانسته است همه پارامترهای فوق را بهبود دهد. شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که در مقایسه با سلول 6 ترانزیستوری معمولی و سه نوع سلول 7، 8 و 9 ترانزیستوری که قبلاً معرفی شده اند، میزان بهبود توان نشتی 40 الی 53 درصد، میزان بهبود توان دینامیکی 17 الی 49 درصد، و میزان بهبود سرعت نوشتن بین 48 الی 68 درصد است. تاخیر خواندن این سلول با تاخیر خواندن سلول 9 ترانزیستوری قبلی یکسان است ولی بین 33 تا 41 درصد بهتر از تاخیر خواندن سایر سلول ها است.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها