محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال

  • novel multistate quantum dot gate fets using sio2 and lattice-matched zns-znmgs-zns as gate insulators

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 608
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     multistate behavior has been achieved in quantum dot gate field-effect transistor (qdgfet) configurations using either sio x -cladded si or geo x -cladded ge quantum dots (qds) with asymmetric dot sizes. an alternative method is to use both sio x -cladded si and geo x -cladded ge qds in qdgfets. in this paper, we present experimental verification of four-state behavior observed in a qdgfet with cladded si and ge dots site-specifically self-assembled in the gate region over a thin sio2 tunnel layer on a si substrate. this paper also investigates the use of lattice-matched high-κ zns-znmgs-zns layers as a gate insulator in mixed-dot si qdgfets. quantum-mechanical simulation of the transfer characteristic (i d–v g) shows four-state behavior with two intermediate states between the conventional on and off states.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها