محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • toward discrete axial p–n junction nanowire light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 737
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     in this paper we investigate axial p–n junction gan nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (mbe), with particular attention to the effect of mg doping on the device characteristics of individual nanowire light-emitting diodes (leds). we observe that a significant fraction of single-nanowire leds produce measurable band-gap electroluminescence when a thin algan electron blocking layer (ebl) is incorporated into the device structure near the junction. similar devices with no ebl typically yield below-detection-limit electroluminescence, despite diode-like i–vcharacteristics and optically measured internal quantum efficiencies (iqes) of ∼1%. i–vmeasurements of the p-regions in p–n junction nanowires, as well as nanowires doped with mg only, indicate low p-type conductivity and asymmetric schottky-like p-contacts. these observations suggest that imbalanced carrier injection from the junction and p-contact can produce significant nonradiative losses.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها