• electrical characteristics of thin-film transistors fabricated utilizing a uv/ozone-treated tio2 channel layer

    نویسندگان :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 168
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     thin-film transistors (tfts) utilizing tio2 channel layers were fabricated by using a solution process. atomic force microscopy images showed that the surface morphology of the tio2 films became uniform due to the ultraviolet (uv)/ozone treatment. x-ray photoelectron spectroscopy showed that the uv/ozone treatment reduced the amount of oxygen deficiency in the tio2 films, resulting in a decrease of the electron concentration on the surface. the performance of the tft devices was significantly improved due to a decrease of the off-current level resulting from the enhanced uniformity and the decrease of the trap level resulting from the uv/ozone treatment.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین ژورنال ها