• جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 861
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     in this paper we describe detailed transmission electron microscopy studies of gan1−x bi x with 0.05 < x < 0.18 grown by low-temperature molecular beam epitaxy under ga-rich conditions. microstructural transformation from columnar growth separated by thin amorphous areas in the films with lowest bi content (5%) to pseudo-amorphous structure with crystalline grains embedded in the amorphous matrix in the samples with higher bi content (13% to 18%) was observed. in addition, metallic bi segregation occurred in the samples with the highest bi concentration. an abrupt decrease in absorption edge energy is found in samples with higher bi content.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها