محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • realization of the switching mechanism in resistance random access memory™ devices: structural and electronic properties affecting electron conductivity in a hafnium oxide–electrode system through first-principles calculations

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 723
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     the resistance random access memory (rram™) device, with its electrically induced nanoscale resistive switching capacity, has attracted considerable attention as a future nonvolatile memory device. here, we propose a mechanism of switching based on an oxygen vacancy migration-driven change in the electronic properties of the transition-metal oxide film stimulated by set pulse voltages. we used density functional theory-based calculations to account for the effect of oxygen vacancies and their migration on the electronic properties of hfo2 and ta/hfo2 systems, thereby providing a complete explanation of the rram™ switching mechanism. furthermore, computational results on the activation energy barrier for oxygen vacancy migration were found to be consistent with the set and reset pulse voltage obtained from experiments. understanding this mechanism will be beneficial to effectively realizing the materials design in these devices.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها