محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • numerical analysis of current–voltage characteristics of lwir nbn and p-on-n hgcdte photodetectors

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 735
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     we performed numerical analysis of the current–voltage characteristics of long-wavelength infrared unipolar hgcdte nbn photodetectors and compared those results with those of conventional p-on-nhgcdte photodiodes. a computer program was applied to explain in detail the impact of the charge carrier generation and recombination processes on current densities. in our model the carrier diffusion, thermal generation–recombination, band-to-band tunneling, trap-assisted tunneling (via states located at mercury vacancies as well as dislocation cores), and impact ionization are included as potential limiting mechanisms. to validate the model, we compared the theoretical predictions with experimental data of high-quality p-on-n photodiodes published in the literature.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها