محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال

  • analysis of the temperature dependence of the capacitance–voltage and conductance–voltage characteristics of au/tio2(rutile)/n-si structures

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 730
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
      the capacitance–voltage–temperature (c–v–t) and the conductance/angular frequency–voltage–temperature (g/ω–v–t) characteristics of au/tio2(rutile)/n-si schottky barrier diodes (sbds) were investigated over the temperature range from 200 k to 380 k by considering the series resistance effect. titanium dioxide (tio2) was deposited on n-type silicon (si) substrate using a direct-current (dc) magnetron sputtering system at 200°c. to improve the crystal quality, the deposited film was annealed at 900°c to promote a phase transition from the amorphous to rutile phase. the c −2versus v plots gave a straight line in the reverse-bias region. the main electrical parameters, such as the doping concentration (n d), fermi energy level (e f), depletion layer width (w d), barrier height (ф cv), and series resistance (r s), of au/tio2(rutile)/n-si sbds were calculated from thec–v–t and the g/ω–v–t characteristics. the obtained results show that ф cv, r s, and w d values decrease, while e f and n d values increase, with increasing temperature.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها