-
realization of the switching mechanism in resistance random access memory™ devices: structural and electronic properties affecting electron conductivity in a hafnium oxide–electrode system through first-principles calculations
جزئیات بیشتر مقاله- تاریخ ارائه: 1392/07/24
- تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
- تعداد بازدید: 722
- تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
- شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
the resistance random access memory (rram™) device, with its electrically induced nanoscale resistive switching capacity, has attracted considerable attention as a future nonvolatile memory device. here, we propose a mechanism of switching based on an oxygen vacancy migration-driven change in the electronic properties of the transition-metal oxide film stimulated by set pulse voltages. we used density functional theory-based calculations to account for the effect of oxygen vacancies and their migration on the electronic properties of hfo2 and ta/hfo2 systems, thereby providing a complete explanation of the rram™ switching mechanism. furthermore, computational results on the activation energy barrier for oxygen vacancy migration were found to be consistent with the set and reset pulse voltage obtained from experiments. understanding this mechanism will be beneficial to effectively realizing the materials design in these devices.
مقالات جدیدترین رویدادها
-
استفاده از تحلیل اهمیت-عملکرد در ارائه الگوی مدیریت خلاقیت سازمانی و ارائه راهکار جهت بهبود
-
بررسی تاثیر ارزش وجوه نقد مازاد بر ساختار سرمایه شرکت های پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار تهران
-
بررسی تأثیر سطح افشای ریسک بر قرارداد بدهی شرکت های پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار تهران
-
بررسی تأثیر رتبه بندی اعتباری مبتنی بر مدل امتیاز بازار نوظهور بر نقد شوندگی سهام با تأکید بر خصوصی سازی شرکت ها
-
تأثیر آمیخته بازاریابی پوشاک ایرانی بر تصویر ذهنی مشتری پوشاک ایرانی (هاکوپیان)
-
سنجش میزان رضایت ساکنین از شاخص های کمی و کیفی مسکن مهر (نمونه موری: مسکن مهر شهر خرم آباد)
-
تاملی نو در مبانی فقهی وجوب حکم حجاب بانوان
-
تعیین پیکربندی بهینه میراگرهای فلزی در قاب فولادی با استفاده از روش تحلیل زمان دوام
-
energy bound for sign changing solutions of an asymptotically linear elliptic equation in rn
-
aggregation of nanoparticles in high ionic strength suspensions: effect of hamaker constant and particle concentration
مقالات جدیدترین ژورنال ها
-
مدیریت و بررسی افسردگی دانش آموزان دختر مقطع متوسطه دوم در دروان کرونا در شهرستان دزفول
-
مدیریت و بررسی خرد سیاسی در اندیشه ی فردوسی در ادب ایران
-
واکاوی و مدیریت توصیفی قلمدان(جاکلیدی)ضریح در موزه آستان قدس رضوی
-
بررسی تاثیر خلاقیت، دانش و انگیزه کارکنان بر پیشنهادات نوآورانه کارکنان ( مورد مطالعه: هتل های 3 و 4 ستاره استان کرمان)
-
بررسی تاثیر کیفیت سیستم های اطلاعاتی بر تصمیم گیری موفق در شرکتهای تولیدی استان اصفهان (مورد مطالعه: مدیران شرکتهای تولیدی استان اصفهان)
-
ارزیابی تأثیر ارتباطات سازمانی اثربخش بر بهبود خلاقیت سازمانی و شکل گیری همدلی سازمانی
-
استفاده صلح آمیز از انرژی هسته ای از منظر حقوق بین الملل با تاکید بر بیانات رهبری
-
کاربرد ابزار هوش مصنوعی در پیش بینی مصرف انرژی ساختمان
-
تأثیر تمرینات پیلاتس بر نیمرخ لیپیدی زنان غیر فعال دارای اضافه وزن
-
electrochemical sensors; types and applications in the food industry
سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :