بررسی برهمکنش مولکول نیترآمید بر روی سطح نانولوله گالیم نیترید آرمچیر (4،4) خالص و عامل دار شده با اتم پلاتین

در این پژوهش، تأثیر عامل دار کردن نانلوله گالیم نیترید آرمچیر (4،4) به منظور یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول نیترآمید (nh₂no₂) که یکی از عوامل آلودگی هواکره می باشد با استفاده از روش نظریه ی تابعی دانسیته (dft) مورد بررسی قرار گرفته است. دراین روش ابتدا نانولوله ها را به روش b3lyp و پایه lal2dz به حداقل انرژی رسانده سپس پارامترهای انرژی جذب، توصیف گرهای کوانتومی، انرژی بالاترین اوربیتال مولکولی اشغال شده (homo) و پایین ترین اوربیتال مولکولی اشباع نشده (lumo) و در نهایت محاسبات nbo با روش pop=nbo انجام شد. نتایج انرژی جذب نشان می دهد تعامل قوی بین مولکول جاذب و نانولوله گالیم نیترید خالص و عاملدارشده می باشد. از سویی مطالعات اوربیتال های مولکولی، توصیف گر های کوانتومی و سایر پارامترها نشان می دهند که فرآیند جذب باعث کاهش گاف انرژی و کاهش سختی (افزایش نرمی) درنتیجه افزایش رسانایی نانولوله می شود. علاوه بر این نتایج پارامتر های nbo و نمودار های dos نشان دهنده برهمکنش مطلوب بین نانولوله و مولکول جاذب وجود دارد. بنابراین نانولوله گالیم نیترید آرمچیر (4,4) خالص و عامل دار شده با اتم پلاتین گزینه مناسبی برای شناسایی مولکول آلاینده نیترآمید است.