• characterization of high-k gate dielectric with amorphous nanostructure

    نویسندگان :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 863
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     in the present study, zr x la1−x o y amorphous nanostructures were prepared by the sol–gel method such that the zr atomic fraction (x) ranged from 0% to 70%. an analytical model is described for the dielectric constant (k) of zr x la1−x o y nanostructures in a metal–oxide–semiconductor (mos) device. the structure and morphology of zr x la1−x o y film was studied using x-ray diffraction, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and transmission electron microscopy. elemental qualitative analysis was performed using energy-dispersive x-ray spectra and a map that confirmed the findings. preliminary information on the influence of thermal annealing on the morphological control of zr x la1−x o y amorphous nanostructures is presented. the dielectric constant of the crystalline zr0.5la0.5o y thin film is about 36. electrical property characterization was performed using a metal–dielectric–semiconductor structure via capacitance–voltage and current density–voltage measurements.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها