-
comparison of phase shifting techniques for measuring in-plane residual stress in thin, flat silicon wafers
جزئیات بیشتر مقاله- تاریخ ارائه: 1392/07/24
- تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
- تعداد بازدید: 827
- تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
- شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
comparison of phase shifting techniques for measuring in-plane residual stress in thin, flat silicon wafersthis paper reports on a comparison of the six- and ten-step phase shifting methods in digital transmission photoelasticity and the application of these methods to obtain the residual stresses in thin (200 μm), flat crystalline silicon wafers (156 mm square). the ten-step phase shifting technique is judged to be superior with reduced noise in the isoclinics and a resulting higher accuracy when dealing with the near-zero retardation prevalent in residual stress measurements of silicon wafers.residual stresses are a major concern affecting the processing and performance of electronic devices made on silicon wafers. residual stress in silicon wafers results from temperature gradients in crystal growth, precipitates and other point and line defects, and cracks due to mechanical processing and thickness. many techniques are currently available to measure these residual stresses, including moire´ interferometry, x-ray diffraction, transmission electron microscopy, micro-raman spectroscopy, and digital photoelasticity.
مقالات جدیدترین رویدادها
-
استفاده از تحلیل اهمیت-عملکرد در ارائه الگوی مدیریت خلاقیت سازمانی و ارائه راهکار جهت بهبود
-
بررسی تاثیر ارزش وجوه نقد مازاد بر ساختار سرمایه شرکت های پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار تهران
-
بررسی تأثیر سطح افشای ریسک بر قرارداد بدهی شرکت های پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار تهران
-
بررسی تأثیر رتبه بندی اعتباری مبتنی بر مدل امتیاز بازار نوظهور بر نقد شوندگی سهام با تأکید بر خصوصی سازی شرکت ها
-
تأثیر آمیخته بازاریابی پوشاک ایرانی بر تصویر ذهنی مشتری پوشاک ایرانی (هاکوپیان)
-
پیش بینی مقاومت فشاری ملات گچی حاوی مواد افزودنی توسط مدل فازی عصبی تطبیقی
-
مطالعه عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی طبیعی در محفظه با نانوسیال آب-اکسید مس با استفاده از مدل براونی
-
سیستم فتوولتاییک بدون ترانسفورماتور متصل به شبکه با قابلیت گذر از ولتاژ پایین و حفاظت اینورتر
-
تأثیر میان قاب های فولادی کامل در کاهش پتانسیل خرابی پیش رونده ی حاصل از حذف ناگهانی ستون در قاب های خمشی فولادی
-
تعیین حداقل ممان اینرسی سخت کننده ها در دیوارهای برشی فولادی با بازشو در تئوری اندرکنش ورق و قاب
مقالات جدیدترین ژورنال ها
-
مدیریت و بررسی افسردگی دانش آموزان دختر مقطع متوسطه دوم در دروان کرونا در شهرستان دزفول
-
مدیریت و بررسی خرد سیاسی در اندیشه ی فردوسی در ادب ایران
-
واکاوی و مدیریت توصیفی قلمدان(جاکلیدی)ضریح در موزه آستان قدس رضوی
-
بررسی تاثیر خلاقیت، دانش و انگیزه کارکنان بر پیشنهادات نوآورانه کارکنان ( مورد مطالعه: هتل های 3 و 4 ستاره استان کرمان)
-
بررسی تاثیر کیفیت سیستم های اطلاعاتی بر تصمیم گیری موفق در شرکتهای تولیدی استان اصفهان (مورد مطالعه: مدیران شرکتهای تولیدی استان اصفهان)
-
حسابداری مدیریت بخش عمومی در اقتصادهای نوپا
-
بررسی تاثیر ضایعات کارخانه های سنگبری (گِل سنگ) برروی خصوصیات ژئوتکنیکی ماسه بادی
-
تاثیر عدم اطمینان محیطی بر تصمیمات سرمایه گذاری شرکتهای پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار تهران
-
بررسی عوامل تخریب کننده تالاب هورالعظیم
-
اقتصاد مقاومتی وتوسعه پایدار
سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :