محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • model of v hg incorporation in arsenic-doped hgcdte: first-principles calculations

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 832
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
      following the suggestion that the ashg–v hg and ashg–2v hg defect complexes are potential sources of carrier compensation observed in as-doped hgcdte, we have studied the electronic properties and formation energies of these complexes. we find that these complexes are electrically active acceptors but have exceedingly high formation energies, meaning that they play no role in carrier compensation except at low temperatures. v hg will thus likely remain as an isolated defect. such a model of v hg incorporation allows us to further predict the postgrowth as activation. our prediction emphasizes the ashg–2v hg complex as the starting defect for as activation, rather than the ashg–v hg pair as previously suggested.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها