• جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/12/02
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/12/02
    • تعداد بازدید: 811
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    چند لایه ای نازک مغناطیسی نازک (در ابعاد نانومتر) نامتجانس fe(2.5nm)/sb(xnm)/mn(2.5nm) با ضخامت های مختلف لایه جدا کننده غیر مغناطیسی sb، به روش pvd، در خلا کاری 2×10-6(mbar) لایه نشانی شد. خواص ساختاری نمونه ها توسط دستگاه gixrd و خواص مغناطیسی نمونه ها توسط دستگاه vsm در دو حالت میدان اعمالی موازی و عمود بر سطح نمونه در دمای اتاق بررسی گردید. طیف به دست آمده از پراش پرتو ایکس نشان دهنده ساختار بلوری نمونه و وجود تنش در چند لایه ای به دلیل عدم تطابق ثابت های شبکه با حالت حجمی است. اندازه گیری های مغناطیسی نشان دهنده جهت آسان مغناطش درون صفحه ای برای کلیه نمونه ها می باشد. منحنی های پسماند عدم حضور هرگونه اکسید شدگی در  نمونه ها را تایید کرد. تغییر در ضخامت لایه جدا کننده sb منجر به تغییر در جفت شدگی تبادلی بین لایه ای می گردد که فقط در لایه های نازک در ابعاد نانومتر مشاهده می شود. افزایش ضخامت لایه جدا کننده sb باعث افزایش در انرژی ناهمسانگردی مغناطیسی نمونه ها می گردد.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها