• مشاهده نفوذ اتم ناخالصی در کریستال نیمه هادی w-aln

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1396/09/25
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1396/09/25
    • تعداد بازدید: 563
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    نفوذ یکی از فرآیند های اساسی است که ساختار، عملکرد و ویژگی های ماده ها را کنترل می کند و نقشی مهم در تشخیص مدت عمر وسیله ها بازی می کند. به هر حال مشاهده ی مستقیم فرآیندهای نفوذ فقط محدود به سطوح ماده ها شده اند. در اینجا از یک میکروسکوپ الکترونی برای برانگیختگی محلی و عکس برداری مستقیم از نفوذ ناخالصی ce و mn در تک کریستال ورتزیت (w-aln) aln و برای شناخت رابطه ی نفوذ جانشینی و نفوذ درون شبکه ای استفاده می کنیم. با استفاده از باریکه ی الکترونی kv200 برای ایجاد انرژی، تعداد پرش های بیشتری برای اتم های سنگین تر ce نسبت به اتم های سبک تر mn مشاهده ملاحظه می شود. این مشاهدات، پیش بینی های منطبق بر تئوری اساسی چگالی که گویای کاهش سد نفوذ برای اتم های جانشینی بزرگتر است را تصدیق می کند. این نتایج نشان میدهد که ترکیب میکروسکوپی عمقی با محاسبات تئوری، یک روش جدید برای بررسی مکانیزم نفوذ بیان می کند که محدود به پدیده های روی سطح نیست، بلکه مربوط به درون مواد حجمی است.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین ژورنال ها