بررسی تأثیر نیروهای مغناطیسی خارجی در رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم ها و نانومیله های کبالت

رسوب دهی الکتروشیمیایی با استفاده از جریان متناوب یکی از روش های مهم جهت ایجاد نانوسیم های مغناطیسی در داخل تمپلیت اکسید آندی آلومینیوم ((aao به دلیل حضور لایه مانع در انتهای حفرات می باشد. ساختار کریستالوگرافی نانوسیم های کبالت از نوع hcp بوده است که دارای جهت گیری ترجیهی در راستای جهت [002] عمود بر محور نانوسیم می باشد. در این مطالعه بر اساس نمودارهای زمان- جریان بدست آمده در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی مشخص گردید که در حضور میدان، نرخ های رسوبدهی فلز با دانسیته شار مغناطیسی افزایش می یابد که این پدیده به واسطه همرفت نیروی لورنتس ایجاد می شود، یعنی اثر هیدرودینامیک مغناطیسی، که انتقال جرم یون های فلزی اطراف سطح الکترود را افزایش داده و حفره ها سریع تر پر می شوند. این درحالی است که در حالت بدون میدان مغناطیسی این فرایند (پر شدن حفرات) در حدود دو برابر زمان حالت اول صورت می گیرد. با توجه به خواص مطلوب نانوسیم های کبالت، مانند مغناطش و دمای کوری بالا و خصوصیات مناسب تمپلیت های اکسید آلومینیوم منظم آرایه نانوسیم های کبالت خالص در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی رسوبدهی گردید و بعد از انحلال تمپلیت و تهیه الگوی پراش اشعه ایکس، کاهش شدت پیک (002) مربوط به نمونه های سنتز شده در حضور میدان مغناطیسی نشان دهنده چرخش و جهت گیری کریستالی نانوسیم های کبالت از راستای عمود به محور چرخش به راستای موازی با محور نانوسیم ها می باشد.