• گاف باند تمام سویه در نانوبلورهای فوتونی شامل نیم رسانای ژرمانیم

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1396/09/14
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1396/09/14
    • تعداد بازدید: 303
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    در این مقاله ما خصوصیات اپتیکی نانوبلورهای فوتونی شامل لایه نیمرسانای ژرمانیم نوع n را مطالعه کردیم. مطالعات ما بر پایه روش ماتریس انتقال نشان داد که طیف تراگسیل این نانوساختارهای فوتونی در ناحیه مرئی و نیز مادون قرمز دارای گاف باندهایی هستند که تابع برخی پارامترها مانند چگالی آلاییدگی نیمرسانا و نیز زاویه پرتو تابشی می باشند اما گاف باند فوتونی تمام سویه در گستره 1353-1227 نانومتر را یافتیم. این گروه از نانوساختارهای مورد مطالعه در کاربردهای نیمرسانا در الکترونیک نوری مفید واقع می شوند.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها