• طراحی یک تقویت کننده ولتاژ پایین به روش زیر آستانه با ولتاژ 0.8 ولت

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1396/09/14
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1396/09/14
    • تعداد بازدید: 498
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    در این مقاله یک تقویت کننده دوطبقه که طبقه اول آن یک تقویت کننده تفاضلی و طبقه دوم یک تقویت کننده سورس مشترک با بار فعال است طراحی گردیده است. جهت استفاده ازولتاژ تغذیه کم بدلیل محدودیت در ولتاژ آستانه ترانزیستورهای نوع mosfet افزایشی از روش زیر آستانه برای رسیدن به هدف مورد نظر استفاده گردیده است. جهت شبیه سازی این مدار از نرم افزار hspise با تکنولوژی 0.18 میکرو استفاده گردیده است.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم