افزایش بازده کوانتومی خارجی سلول خورشیدی با استفاده از گیراندازی بیشتر نور با تغییر اندازه نقاط کوانتومی

محدودیت اصلی سلول های خورشیدی معمولی این است که فوتون های کم انرژی توانایی تحریک و ارسال حامل های بار به باند هدایت ندارند و همچنین فوتون هایی که انرژی بالایی دارند به دلیل عدم تطابق با گاف انرژی مواد نیمه هادی سلول خورشیدی، به طور موثر در ایجاد بار آزاد نقش ایفاد نمی کنند. جهت حل این مشکل سلول های خورشیدی نقطه کوانتومی یکی از روش های مورد استفاده در تحقیقات اخیر در نسل سوم سلول های خورشیدی می باشد که نتایج امید بخشی داشته است. در این تحقیق ابتدا یک سلول خورشیدی p-i-n استاندارد از مواد gaas شبیه سازی و سپس نقاط کوانتومی inas بر روی آن اعمال می گردد. نشان داده شده است که با اعمال نقاط کوانتومی به سلول خورشیدی استاندارد بازده سلول از 14.1% به 18.15% افزایش یافته است. در ادامه با تغییر اندازه نقاط کوانتومی اثر آن بر روی پارامترهای اساسی سلول خورشیدی مورد بررسی قرار گرفته که نتایج شبیه سازی نشان می دهد بازده سلول خورشیدی %12.8 افزایش و حداکثر به 20.48% رسیده است. علاوه بر آن افزایش چشمگیری در جریان اتصال کوتاه سلول خورشیدی به وجود آمده است.