محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین

  • numerical simulation and analytical modeling of inas nbn infrared detectors with p-type barriers

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 1082
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     this paper presents finite-element one-dimensional numerical simulations and analytical modeling for ideal (diffusion current only) nbn detectors with p-type barrier layers. the simulations show that the current–voltage j(v) and the dynamic resistance versus voltage r d(v) relations, both dark and illuminated, are in excellent agreement with the equations for ideal back-to-back photodiodes. we present a depletion approximation model for the nbn detector, analogous to that for the conventionalp–n junction photodiode, based on new boundary conditions on the hole concentrations versus voltage at the edges of the nbn barrier layer. we show that these nbn boundary conditions are identical to those for ideal back-to-back photodiodes, justifying the applicability of back-to-back photodiode equations to describe the ideal nbn detector. the simulations for the space-charge regions show a low-bias-voltage regime and a high-bias-voltage regime. the integrated space-charge densities in the layers adjacent to the barrier layer vary linearly with bias voltage. negative dynamic resistance occurs because the bias voltage changes the effective thickness of the thin-base layers that generate diffusion current. we present a new formulation of the model for ideal back-to-back photodiodes with a more elegant and transparent set of equations for j(v) and r d(v).

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها