• optimization of annealing process for improved ingan solar cell performance

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 792
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
      we report enhanced performance of ingan solar cells grown by metalorganic chemical vapor deposition through optimization of the annealing of the epitaxial wafer before device fabrication. we varied the annealing environment gas mixtures as well as temperatures to obtain the optimized annealing condition. it was found that the major improvement of the nitride solar cell efficiency after annealing is in the increase of the v oc. in addition, annealing at the reasonably moderate temperature of 550°c in o2 environment results in the highest-efficiency ingan solar cell devices compared with devices annealed at different temperatures and in different gas environments.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها